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光刻膠（photoresist），亦稱為光阻或光阻劑，是指通過(guò)紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料，是光刻工藝中的關(guān)鍵材料，主要應(yīng)用于集成電路和半導(dǎo)體分立器件的細(xì)微圖形加工。

        光刻膠根據(jù)在顯影過(guò)程中曝光區(qū)域的去除或保留可分為兩種－正性光刻膠（positive photoresist）和負(fù)性光刻膠（negative photoresist）。

        正性光刻膠之曝光部分發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)會(huì)溶于顯影液，而未曝光部份不溶于顯影液，仍然保留在襯底上，將與掩膜上相同的圖形復(fù)制到襯底上。

正性光刻膠曝光顯影前后膠層的變化

  負(fù)性光刻膠之曝光部分因交聯(lián)固化而不溶于阻顯影液，而未曝光部分溶于顯影液，將與掩膜上相反的圖形復(fù)制到襯底上。

負(fù)性光刻膠曝光顯影前后膠層的變化