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可根據(jù)客戶科研和實際需要定制加工發(fā)貨！

型號：摻雜類型 N/P磷、砷、硼

晶向：<111><100><110>

電阻率：0.001-20000(Ω·cm)

平整度STIR：<1μm

翹曲度TTV：<3μm

彎曲的BOW：<5μm

粗糙度Ra：<0.5nm

顆粒度pewaferr：<10顆 (forsize>0.3μm)

包裝方式：1片包裝、5片包裝、10片封裝、25片封裝超潔凈無塵鋁箔真空封裝；

現(xiàn)有庫存厚度μm：雙拋200-2000μm、單拋150-5000μm之間各種厚度硅片均可提供。

用途介紹：用于高校、科研所、高科技公司實驗室用于同步輻射樣品載體、PVD/CVD鍍膜做襯底、磁控濺射生長樣品、XRD、SEM、原子力、紅外光譜、熒光光譜等分析測試 基底、分子束外延生長的基底、X射線分析晶體、TFT薄膜晶體管基底、納米壓印襯底，二維材料襯底等。