產(chǎn)品介紹
1英寸 氧化硅片 SiO2 熱氧化工藝 IC單晶單拋片
熱氧化物表面形成二氧化硅層。在氧化劑的存在下在升高的溫度下，給過程稱為熱氧化。通常生長(zhǎng)熱氧化層的在水平管式爐中。溫度范圍控制在900到1200攝氏度，使用濕法或者干法的生長(zhǎng)方法。熱氧化物是一種生長(zhǎng)的氧化物層。相對(duì)于CVD法沉積的氧化物層，它具有較高的均勻性和更高的介電強(qiáng)度。這是一個(gè)極好的作為絕緣體的介電層。大多數(shù)硅為基礎(chǔ)的設(shè)備中，熱氧化層都扮演著非常重要的角色，作為摻雜障礙和表面電介質(zhì)。
應(yīng)用范圍：1，刻蝕率測(cè)定 2，金屬打線測(cè)試 3，金屬晶圓 4，電性絕緣層
熱氧化物表面形成二氧化硅層。在氧化劑的存在下在升高的溫度下，給過程稱為熱氧化。通常生長(zhǎng)熱氧化層的在水平管式爐中。溫度范圍控制在900到1200攝氏度，使用濕法或者干法的生長(zhǎng)方法。熱氧化物是一種生長(zhǎng)的氧化物層。相對(duì)于CVD法沉積的氧化物層，它具有較高的均勻性和更高的介電強(qiáng)度。這是一個(gè)極好的作為絕緣體的介電層。大多數(shù)硅為基礎(chǔ)的設(shè)備中，熱氧化層都扮演著非常重要的角色，作為摻雜障礙和表面電介質(zhì)。
應(yīng)用范圍：1，刻蝕率測(cè)定 2，金屬打線測(cè)試 3，金屬晶圓 4，電性絕緣層
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