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產(chǎn)品介紹

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深硅刻蝕代加工科研實驗MEMS代工硅通孔TSV技術(shù)

深硅刻蝕代加工科研實驗MEMS代工硅通孔TSV技術(shù)

硅通孔技術(shù)(Through Silicon Via, TSV)技術(shù)是一項高密度封裝技術(shù),正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術(shù),被認為是第四代封裝技術(shù)。

TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導電物質(zhì)的填充,實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連。硅通孔技術(shù)可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度,減小信號延遲,降低電容/電感,實現(xiàn)芯片間的低功耗,高速通訊,增加寬帶和實現(xiàn)器件集成的小型化。

TSV技術(shù)的優(yōu)勢

①縮小封裝尺寸;

②高頻特性出色,減小傳輸延時、降低噪聲;

③降低芯片功耗,據(jù)稱,TSV可將硅鍺芯片的功耗降低大約40%;

④熱膨脹可靠性高。

 

此產(chǎn)品屬于定制產(chǎn)品,可根據(jù)客戶需求來定制,如果需要設(shè)計,請聯(lián)系我們客服或者聯(lián)系 林生,手機號碼15019290020 ,我們竭誠為您服務!

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硅通孔技術(shù)(Through Silicon Via, TSV)技術(shù)是一項高密度封裝技術(shù),正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術(shù),被認為是第四代封裝技術(shù)。

TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導電物質(zhì)的填充,實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連。硅通孔技術(shù)可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度,減小信號延遲,降低電容/電感,實現(xiàn)芯片間的低功耗,高速通訊,增加寬帶和實現(xiàn)器件集成的小型化。

TSV技術(shù)的優(yōu)勢

①縮小封裝尺寸;

②高頻特性出色,減小傳輸延時、降低噪聲;

③降低芯片功耗,據(jù)稱,TSV可將硅鍺芯片的功耗降低大約40%;

④熱膨脹可靠性高。

 

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