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產(chǎn)品名稱：4英寸二氧化硅拋光硅片(SjO2)

生長(zhǎng)方式：直拉單晶（CZ）熱氧化工藝

直徑與工差：100±0.4mm

摻雜類型：N型（摻磷 ， 砷 ， 銻） P型（摻硼）

晶向：<111><100>

電阻率： 0.001-50(Ω?cm) 可按客戶要求定制

工藝數(shù)據(jù)：平整度TIR:<3μm 、 翹曲度TTV: <10μm 、

                彎曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、顆 粒度< 10 (for size > 0.3μm)

用途介紹：用于工藝等同步輻射樣品載體、PVD/CVD鍍膜 做襯底、磁控濺射生長(zhǎng)樣品、XRD、 SEM、原子力、紅外光譜、熒光光譜等分析測(cè)試 基底、分子束外延生長(zhǎng)的基底、X射線分析晶體半導(dǎo)體